来源：IT之家 · 科技 · 东亚 · 05-04 15:36
铠侠、闪迪将展示新型 QLC NAND 架构，目标迈向 1000 层 3D NAND
原标题：目标突破 1000 层：铠侠、闪迪下月展示多层堆叠单元架构 QLC NAND 闪存
AI 情报摘要
铠侠和闪迪将展示面向 1000 层 3D NAND 的新型 QLC NAND 架构。
关键点
- 铠侠、闪迪计划在 6 月 14 日至 18 日举行的 VLSI Symposium 上展示相关技术。
- 新架构涉及 MSA-CBA，即多层堆叠单元阵列与 CMOS 键合设计。
- 该技术路线目标是推动 QLC 3D NAND 层数突破 1000 层，提高容量密度并降低单位存储成本。
影响分析
若技术顺利量产，将增强高容量 SSD 和数据中心存储的成本竞争力，并加剧 NAND 厂商在堆叠层数上的竞争。
情绪：利好 · 相关：铠侠 / 闪迪 / TrendForce / VLSI Symposium / 东亚 · LLM 已生成
据 TrendForce 报道，铠侠与闪迪将在 6 月 VLSI Symposium 上展示多层堆叠单元架构 QLC NAND 闪存，采用 MSA-CBA 等设计，旨在推动 3D NAND 向 1000 层以上演进，提升存储密度与成本效率。