来源：IT之家 · 科技 · 东亚 · 05-07 16:19
硅来半导体发布新一代SiC激光隐切设备，单片加工提速至10分钟
原标题：提速 50%：硅来半导体发布新一代 10min / 片碳化硅激光隐切设备
AI 情报摘要
硅来半导体推出10分钟/片SiC激光隐切设备，提升碳化硅晶锭加工效率。
关键点
- 新设备面向8英寸和12英寸碳化硅晶锭加工，适配更大尺寸SiC产业化需求。
- 单片加工时间从上一代15分钟降至10分钟，官方称效率提升约50%。
- 公司表示设备在缩短切割时间的同时继续控制剥离效果和加工质量。
影响分析
该设备若实现稳定量产应用，将有助于提升SiC衬底加工效率，降低功率半导体材料环节制造成本。
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硅来半导体在武汉2026九峰山论坛发布新一代碳化硅激光隐切设备，面向8/12英寸SiC晶锭加工，单片切割时间由上一代15分钟缩短至10分钟，效率提升约50%，并强调兼顾剥离效果与加工质量。